Справочник транзисторов. SPT5008M

 

Биполярный транзистор SPT5008M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SPT5008M
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 275 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO254
 

 Аналог (замена) для SPT5008M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SPT5008M Datasheet (PDF)

 7.1. Size:76K  ssdi
 spt5006 spt5008.pdf pdf_icon

SPT5008M

SPT5006 and SPT5008 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 10 AMPS DESIGNERS DATA SHEET 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ High Power - High Speed SPT5006 __ __ __ NPN Transistors SPT5008 __ __ __ Screening 2/ __ = Not

 9.1. Size:5480K  cn sps
 spt50n65f1a1t8tl.pdf pdf_icon

SPT5008M

SPT50N65F1A1T8TL650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering

 9.2. Size:5494K  cn sps
 spt50n65f1at8tl.pdf pdf_icon

SPT5008M

SPT50N65F1AT8TL650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.8 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

 9.3. Size:1793K  cn sptech
 spt50n65f1a1.pdf pdf_icon

SPT5008M

SPT50N65F1A1 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... SMA6080 , SMA6511 , SPT5006-3 , SPT5006-61 , SPT5006M , SPT5006S1 , SPT5008-3 , SPT5008-61 , BC556 , SPT5008S1 , SPT5330 , MBT35200MT1 , SMBT35200MT1G , MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G , SMBT3904DW1T1G , MBT3906DW1T1G .

History: MJE13003F1 | 3DD267 | 2SD1384 | 2SC3647S

 

 
Back to Top

 


 
.