Биполярный транзистор 2N6619 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6619
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO236
Другие транзисторы... 2N6601 , 2N6602 , 2N6603 , 2N6604 , 2N6609 , 2N661 , 2N6617 , 2N6618 , TIP41 , 2N662 , 2N6620 , 2N6621 , 2N6622 , 2N663 , 2N6648 , 2N6649 , 2N665 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050