SMLBFY90 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SMLBFY90 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO72
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для SMLBFY90
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SMLBFY90 даташит
smlbfy90.pdf
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN Semelab Limited TRANSISTOR SMLBFY90 LOW NOISE TRANSISTOR FOR USE IN BROAD AND NARROW-BAND AMPLIFIERS UP TO 1GHz ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector - Base Voltage 30V VCER Collector - Emitter Voltage (RBE 50 ) 30V VCEO Collector - Emitter Voltage 15V VEBO Emitter - Base Voltage 2.5V IC(AV) Average
Другие транзисторы: MBT3946DW1T1G, SMBT3946DW1T1G, SML4017, SML4017A, SML5321, SML7A12, SMLA42CSM, SMLA42DCSM, 2SC828, 2SD1857A, 2SD1898-P, 2SD1898-Q, 2SD1898-R, 2SD1899-K, 2SD1899-L, 2SD1899-M, 2SD1899-Z
History: TIS93M | SMBT3906S | KA4A4L | KA4F3P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement

