Биполярный транзистор 2N662 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N662
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N6602 , 2N6603 , 2N6604 , 2N6609 , 2N661 , 2N6617 , 2N6618 , 2N6619 , TIP41 , 2N6620 , 2N6621 , 2N6622 , 2N663 , 2N6648 , 2N6649 , 2N665 , 2N6650 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050