2SD1782KFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1782KFRA  📄📄 

Маркировка: AJQ_AJR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC59 SMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1782KFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1782KFRA даташит

 ..1. Size:934K  rohm
 2sd1782kfra.pdf pdf_icon

2SD1782KFRA

2SD1782KFRA 2SD1782K Transistors AEC-Q101 Qualified Power Transistor (80V, 0.5A) 2SD1782K 2SD1782KFRA External dimensions (Unit mm) Features 1) Low VCE(sat). 2.9 0.2 VCE(sat) =0.2V(Typ.) 1.1+0.2 1.9 0.2 -0.1 (IC / IB=0.5 A / 50mA) 0.8 0.1 0.95 0.95 2) High VCEO,VCEO=80V (1) (2) 0 0.1 2SB1198KFRA 3) Complements the 2SB1198K. (3) +0.1 0.15-0.06 +0.1 0.4 -0.0

 6.1. Size:1126K  rohm
 2sd1782k.pdf pdf_icon

2SD1782KFRA

2SD1782K Datasheet Power Transistor (80V, 500mA) lOutline l SOT-346 Parameter Value SC-59 VCEO 80V IC 500mA SMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low VCE(sat) VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)High breakdown voltage. BVCEO=80V 3)Complements the 2SB1198K lApplication l DRIVER lPackaging specifications l Basic

 7.1. Size:92K  rohm
 2sd1782.pdf pdf_icon

2SD1782KFRA

Transistors Power Transistor (80V, 0.5A) 2SD1782K FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) 2) High VCEO, VCEO = 80V 3) Complements the 2SB1198K. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-222-D93) 271 Transistors 2SD1782K FElectrical characteristics (Ta = 25_

 7.2. Size:84K  utc
 2sd1782.pdf pdf_icon

2SD1782KFRA

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1782 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTC s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter saturation voltage and high DC current gain, etc. FEATURES * High collector-emitte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1164-Z, 2SD1484KFRA, 2SD1949FRA, 2SD1499-P, 2SD1583-Z, 2SD1584-Z, 2SD1781KFRA, 2SD1781KGP, 2N5551, 2SD1664GP, 2SD1664P, 2SD1664Q, 2SD1664R, BU406A8, BU508B, BU508C, BU941A