Справочник транзисторов. BUL1102EFP

 

Биполярный транзистор BUL1102EFP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL1102EFP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO220FP
 

 Аналог (замена) для BUL1102EFP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL1102EFP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  st
bul1102efp.pdfpdf_icon

BUL1102EFP

BUL1102EHigh voltage fast-switchingNPN power transistorFeatures High voltage capability Very high switching speedTABApplicationsFour lamp electronic ballast for:3322 120 V mains in push-pull configuration 11 277 V mains in half bridge current feed TO-220FPTO-220configurationDescriptionThis is a high voltage fast switching NPN power Figure 1.

 6.1. Size:398K  st
bul1102e.pdfpdf_icon

BUL1102EFP

BUL1102EHigh voltage fast-switchingNPN power transistorFeatures High voltage capability Very high switching speedTABApplicationsFour lamp electronic ballast for:3322 120 V mains in push-pull configuration 11 277 V mains in half bridge current feed TO-220FPTO-220configurationDescriptionThis is a high voltage fast switching NPN power Figure 1.

 6.2. Size:207K  inchange semiconductor
bul1102e.pdfpdf_icon

BUL1102EFP

isc Silicon NPN Power Transistor BUL1102EDESCRIPTIONHigh VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFour lamp electronic ballsat for : 120v mains in push-pullconfigurationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1100 VCBOV Collector-Emit

 9.1. Size:86K  st
bul118-1.pdfpdf_icon

BUL1102EFP

BULD118-1HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS:3 ELECTRONIC BALLASTS FOR21FLUORESCENT LIGHTING FLYBACK AND FORWARD SINGLETRANSISTOR LOW POWER CONVERTERSIPAKDESCRIPTION(TO-251)The device is manufactured usin

Другие транзисторы... BU941ZTFP , BULD118D-1 , BULD39DT4 , BULK128D-B , BUL741FP , BUL742 , BUL743 , BUL98 , TIP42C , BUL123S , BUL128D , BUL128D-B , BUL128DR7 , BUL128DR8 , BUL129D , BUL3P5 , BUL416T .

 

 
Back to Top

 


 
.