Биполярный транзистор BUL128DR8 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BUL128DR8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220F
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BUL128DR8 Datasheet (PDF)
bul128dr8.pdf

BUL128DR8 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Electronic ballasts for fluorescent lighting,flyback and forward single transistor low power converters. :N Features: NPN transistor,high voltage capability,low
bul128dr7.pdf

BUL128DR7 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Electronic ballasts for fluorescent lighting,flyback and forward single transistor low power converters. :N Features: NPN transistor,high voltage capability,low
bul128d-b.pdf

BUL128D-BHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTORn STMicroelectronics PREFERRED SALES Figure 1: PackageTYPEn NPN TRANSISTORn HIGH VOLTAGE CAPABILITYn LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERSn MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATIONn VERY HIGH SWITCHING SPEEDn INTEGRATED ANTIPARALLEL 3COLLECTOR- EMITTER DIODE21 TO-220APPLICATIONSn ELECTRONIC BALLAST FO
bul128d.pdf

BUL128D-B HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED3 INTEGRATED ANTIPARALLEL2COLLECTOR-EMITTER DIODE1APPLICATIONS:TO-220 ELECTRONIC BALLASTS FORFLUORESCENT LIGHTING
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110
History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706