Справочник транзисторов. BUL53ASMD

 

Биполярный транзистор BUL53ASMD Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL53ASMD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO276AB
 

 Аналог (замена) для BUL53ASMD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL53ASMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10K  semelab
bul53asmd.pdfpdf_icon

BUL53ASMD

BUL53ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 300V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

 9.1. Size:28K  semelab
bul53b-sm.pdfpdf_icon

BUL53ASMD

BUL53BSMSEMELABADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE11.52.0 RANGE0.253.5 3.5 3.0 SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE1 3 HIGH VOLTAGE (VCBO = 800V) FAST SWITCHING (tf

 9.2. Size:20K  semelab
bul53bsmd.pdfpdf_icon

BUL53ASMD

BUL53BSMDADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURERANGE SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED

Другие транзисторы... BUL66B , BUL68A , BUL68B , BUL70A , BUL72A , BUL72B , BUL52ASMD , BUL52BSMD , TIP31 , BUL53B-SM , BUL53BSMD , BUL54A-SM , BUL54ASMD , BUL54A-T257F , BUL54A-TO5 , BUL54BSMD , TIP36CP .

History: 2SB360 | SF334 | 2SC2668R | CET3904E | MA393E | KSC2752N | CL152-3A

 

 
Back to Top

 


 
.