BUL54A-T257F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUL54A-T257F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO257F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUL54A-T257F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL54A-T257F даташит

 ..1. Size:15K  semelab
 bul54a-t257f.pdf pdf_icon

BUL54A-T257F

 6.1. Size:137K  semelab
 bul54a-to5.pdf pdf_icon

BUL54A-T257F

 7.1. Size:15K  semelab
 bul54a-sm.pdf pdf_icon

BUL54A-T257F

BUL54A SM SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE 11.5 2.0 0.25 HIGH VOLTAGE 3.5 3.5 3.0 FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE 1 3 HIGH ENERGY RATING EFFICIENT POWER SWITCHING 2 MILITARY AND HI REL

 8.1. Size:20K  semelab
 bul54asmd.pdf pdf_icon

BUL54A-T257F

BUL54ASMD ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE HIGH ENERGY RATING E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUL72B, BUL52ASMD, BUL52BSMD, BUL53ASMD, BUL53B-SM, BUL53BSMD, BUL54A-SM, BUL54ASMD, 2SD2499, BUL54A-TO5, BUL54BSMD, TIP36CP, BUL5555, BUL55ASMD, BUL55BSMD, BUL56ASMD, BUL56BSMD