Биполярный транзистор BUL58ASMD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL58ASMD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO276AB
Аналоги (замена) для BUL58ASMD
BUL58ASMD Datasheet (PDF)
bul58asmd.pdf
BUL58ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 160V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26
bul58d.pdf
BUL58DHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS 3 VERY HIGH SWITCHING SPEED 2 FULLY CHARACTERISED AT 125oC 1 HIGH RUGGEDNESS INTEGRATED ANTIPARALLELTO-220COL
bul58bsmd.pdf
BUL58BSMDADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGEHIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGEFAST SWITCHINGHIGH ENERGY RATING FEATURES Multibase for efficient energy distributiona
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3672
History: 2SC3672
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050