KC556 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KC556  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KC556

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC556 даташит

 ..1. Size:1415K  kexin
 kc556 kc557 kc558.pdf pdf_icon

KC556

DIP Type Transistors PNP Transistors BC556 BC558 (KC556 KC558) Unit mm TO-92 4.8 0.3 3.8 0.3 Features Collector Current Capability IC=-0.1A Collector Emitter Voltage VCEO=-65V/-45V/-30V 0.60 Max 0.45 0.1 0.5 COLLECTOR 1 2 1 3 2 1.Collector BASE 2.Base 1.27 3.Emitter 2.54 3 EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol BC556

Другие транзисторы: KA4L3N, KA4L3Z, KA4L4K, KA4L4L, KA4L4M, KA4L4Z, KC327, KC337, 431, KC557, KC558, KC807, KC807A, KC807W, KC808, KC808A, KC817-16