KN1A01FU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KN1A01FU  📄📄 

Маркировка: D1Y_D1G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KN1A01FU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KN1A01FU даташит

 ..1. Size:734K  kexin
 kn1a01fu.pdf pdf_icon

KN1A01FU

SMD Type Transistors PNP Transistors HN1A01FU (KN1A01FU ) Features High voltage and high current High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity Small package (Dual type) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector

Другие транзисторы: KC847CW, KC848, KC848A, KC848B, KC848C, KC848AW, KC848BW, KC848CW, S8550, KNLS350E, KPLS350E, KRA109M, KRA112M, KRA157F, KRA302VS, KMS3, KMS4