Справочник транзисторов. KNLS350E

 

Биполярный транзистор KNLS350E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KNLS350E
   Маркировка: N35
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для KNLS350E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KNLS350E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  kexin
 knls350e.pdf pdf_icon

KNLS350E

SMD Type TransistorsNPN TransistorsDNLS350E (KNLS350E)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Collector Current Capability IC=3A Collector Emitter Voltage VCEO=50V Complementary to DPLS350E Lead Free By Design/RoHS Compliant1 2 3 "Green" Device0.2502.30 (typ)Gauge PlaneCOLLECTOR1.Base 2.CollectorBASE0.700.13.Emitter4.60 (

Другие транзисторы... KC848 , KC848A , KC848B , KC848C , KC848AW , KC848BW , KC848CW , KN1A01FU , MJE340 , KPLS350E , KRA109M , KRA112M , KRA157F , KRA302VS , KMS3 , KMS4 , KMST2222A .

 

 
Back to Top

 


 
.