KNLS350E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KNLS350E

Маркировка: N35

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для KNLS350E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KNLS350E даташит

 ..1. Size:992K  kexin
 knls350e.pdf pdf_icon

KNLS350E

SMD Type Transistors NPN Transistors DNLS350E (KNLS350E) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 Collector Current Capability IC=3A Collector Emitter Voltage VCEO=50V Complementary to DPLS350E Lead Free By Design/RoHS Compliant 1 2 3 "Green" Device 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane COLLECTOR 1.Base 2.Collector BASE 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (

Другие транзисторы: KC848, KC848A, KC848B, KC848C, KC848AW, KC848BW, KC848CW, KN1A01FU, 2SC4793, KPLS350E, KRA109M, KRA112M, KRA157F, KRA302VS, KMS3, KMS4, KMST2222A