Биполярный транзистор KPLS350E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KPLS350E
Маркировка: P35
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
KPLS350E Datasheet (PDF)
..1. Size:1350K kexin
kpls350e.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
kpls350e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsPNP TransistorsDPLS350E (KPLS350E)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Collector Current Capability IC=-3A Collector Emitter Voltage VCEO=-50V Complementary to DNLS350E1 2 3COLLECTOR2,40.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base1 2.CollectorBASE0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector3EMITTER Absolute Maxim
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .