Биполярный транзистор KMS3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMS3
Маркировка: S3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT153
KMS3 Datasheet (PDF)
..1. Size:280K kexin
kms3.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
kms3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsPNP TransistorsFMS3 (KMS3)( )SOT-153 SOT-23-5 Unit: mm0.4+0.1-0.15 4 Features Collector Current Capability IC=-50mA Collector Emitter Voltage VCEO=-120V High breakdown voltage. 1 2 3+0.020.15 -0.02+0.01-0.015 4+0.2-0.11 2 3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VC
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .