Биполярный транзистор KC857S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KC857S
Маркировка: 3C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: SOT363
KC857S Datasheet (PDF)
kc857s.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC857S (KC857S) Features High current gain Low collector-emitter saturation voltage For AF input stages and driver applications Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50VCEO -45 Collector - Emitter Voltage VVCES -50 Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Cur
kc857t.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC857T (KC857T)SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications30.30.050.5+0.1-0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec
kc856w kc857w kc858w.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC856W,BC857W,BC858W(KC856W,KC857W,KC858W) Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications1.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC856W -80 Collector - Base Voltage BC857W VCBO -50BC858W -30BC856W -65 V Collector - Emitte
kc856a kc856b kc857a kc857b kc857c kc858a kc858b kc858c.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorKC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesIdeally suited for automatic insertionFor Switching and AF Amplifier Applications12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
kc856 kc857 kc858.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC856~BC858 (KC856~KC858)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol BC856 BC857 BC858 Unit C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050