KC857S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KC857S 📄📄
Маркировка: 3C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125
Корпус транзистора: SOT363
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KC857S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KC857S даташит
kc857s.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors BC857S (KC857S) Features High current gain Low collector-emitter saturation voltage For AF input stages and driver applications Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50 VCEO -45 Collector - Emitter Voltage V VCES -50 Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Cur
kc857t.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors BC857T (KC857T) SOT-523 U nit m m +0. 1 1.6 -0. 1 +0.1 1.0 -0.1 +0.05 0.2 -0.05 0.15 0.05 Features 2 1 Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications 3 0.3 0.05 0.5+0.1 -0.1 1. Base 2. Emitter 3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec
kc856w kc857w kc858w.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors BC856W,BC857W,BC858W (KC856W,KC857W,KC858W) Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications 1.Base 2.Emitter 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC856W -80 Collector - Base Voltage BC857W VCBO -50 BC858W -30 BC856W -65 V Collector - Emitte
kc856a kc856b kc857a kc857b kc857c kc858a kc858b kc858c.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistor KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C (BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit
Другие транзисторы: KC856B, KC856BS, KC856S, KC856W, KC857, KC857A, KC857B, KC857C, TIP142, KC857T, KC857W, KC858, KC858A, KC858B, KC858C, KC858W, KC859
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor





