KCP52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KCP52

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для KCP52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KCP52 даташит

 ..1. Size:463K  kexin
 kcp51 kcp52 kcp53.pdf pdf_icon

KCP52

SMD Type Transistors PNP Transistors BCP51,BCP52,BCP53 (KCP51,KCP52,KCP53) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 Features 3.00 0.1 For AF driver and output stages 4 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary to BCP54,BCP55,BCP56 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collecto

Другие транзисторы: KC859, KC859W, KC860, KC860W, RN1116F, RN1114FT, RN1115FT, KCP51, BD222, KCP53, KCP53-16, KCP54, KCP55, KCP56, KCP56-16, KCP68, KCP69