RN2110F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN2110F

Маркировка: XK_YK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT490 SC81 ESM

 Аналоги (замена) для RN2110F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2110F даташит

 0.1. Size:114K  toshiba
 rn2110fs rn2111fs.pdf pdf_icon

RN2110F

RN2110FS,RN2111FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FS,RN2111FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save a

 0.2. Size:122K  toshiba
 rn2110ft-rn2111ft.pdf pdf_icon

RN2110F

RN2110FT,RN2111FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FT,RN2111FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

 0.3. Size:109K  toshiba
 rn2110f-rn2111f.pdf pdf_icon

RN2110F

RN2110F,RN2111F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2110F,RN2111F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1110F, RN1111F Equivalent Circuit Maximum Ratings (Ta = 25 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KMBT2907A, KMBT2907AT, KMBT3904, KMBT3904DW, KMBT3904T, KMBT3906, KMBT3906DW, KMBT3906T, 8050, RN2112F, KMBT4401, KMBT4403, KMBT4403W, KMBT5088, KMBT5089, KMBT5401, KMBT5551