Биполярный транзистор KMBT5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMBT5401
Маркировка: 2L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
KMBT5401 Datasheet (PDF)
kmbt5401.pdf
SMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorSMD Type TProduct specificationKMBT5401(MMBT5401)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-b
kmbt5401.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsKMBT5401(MMBT5401)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -160 VCollector-emitter voltage VCEO -150
kmbt5551.pdf
SMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorSMD Type TProduct specificationKMBT5551(MMBT5551)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra
kmbt5089.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT5089 (KMBT5089)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=25V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V
kmbt5088.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT5088 (KMBT5088)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=30V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V
kmbt5551.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKMBT5551(MMBT5551)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter voltage VCEO 160 V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050