Справочник транзисторов. CZT5551E

 

Биполярный транзистор CZT5551E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CZT5551E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CZT5551E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  central
czt5551e.pdfpdf_icon

CZT5551E

CZT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES:SOT-223 CASESOT-223 CASE High Collector Breakdown Voltage

 7.1. Size:527K  central
czt5551.pdfpdf_icon

CZT5551E

CZT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCol

 7.2. Size:527K  central
czt5551hc.pdfpdf_icon

CZT5551E

CZT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASE

 7.3. Size:669K  secos
czt5551.pdfpdf_icon

CZT5551E

CZT5551NPN Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 5 5 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 40TA045D | BFG520-X | CMLT491E | KT8107E | BF253-2 | MS1501

 

 
Back to Top

 


 
.