CZT5551E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZT5551E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT5551E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT5551E даташит

 ..1. Size:534K  central
 czt5551e.pdf pdf_icon

CZT5551E

CZT5551E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. MARKING FULL PART NUMBER FEATURES SOT-223 CASE SOT-223 CASE High Collector Breakdown Voltage

 7.1. Size:527K  central
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551E

CZT5551 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Col

 7.2. Size:527K  central
 czt5551hc.pdf pdf_icon

CZT5551E

CZT5551HC www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE

 7.3. Size:669K  secos
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551E

CZT5551 NPN Transistor Elektronische Bauelemente Epitaxial Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-223 Description The CZT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 5 5 1 D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date Code E 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CV7725, CV7727, CV7738, CV7764, CV7764L-O, CZT3120, CZT3150, CZT5401E, 2SD669A, CZT5551HC, CZT651, CZT7090L, CZT7090LE, CZT7120, CZT751, CPH5901, CPH5902