CZT7120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZT7120

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT7120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT7120 даташит

 ..1. Size:597K  central
 czt7120.pdf pdf_icon

CZT7120

CZT7120 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT PNP SILICON SWITCHING DESCRIPTION POWER TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT7120 PNP Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers, DC-DC converters, and general fast switc

Другие транзисторы: CZT3120, CZT3150, CZT5401E, CZT5551E, CZT5551HC, CZT651, CZT7090L, CZT7090LE, BC556, CZT751, CPH5901, CPH5902, CPH5905, CS684, CSA1162, CSC2712, CXT3090L