Справочник транзисторов. CS684

 

Биполярный транзистор CS684 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CS684
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.06 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для CS684

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CS684 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  comset
 cs684.pdf pdf_icon

CS684

CS684 TO3 PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-3 metal package. CS684 is the BD684 in TO3 package. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit-VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V -VCBO Collector-Base Voltage 140 V -VE

 0.1. Size:59K  china
 cs6849.pdf pdf_icon

CS684

CS6849P PD TC=25 25 W 0.2 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.5 AID VGS=-10V,TC=100 -4.1 AIDM -25 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-4.1A 0.45

 0.2. Size:66K  china
 cs6849u.pdf pdf_icon

CS684

CS6849UP PD TC=25 25 W 0.20 W/ID VGS=-10V,TC=25 -6.5 AID VGS=-10V,TC=100 -4.1 AIDM -25 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-4.1A 0.30

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BF436 | BF458 | BC141-10 | 2DI100D-050

 

 
Back to Top

 


 
.