CS684. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS684

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.06 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для CS684

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CS684 даташит

 ..1. Size:68K  comset
 cs684.pdf pdf_icon

CS684

CS684 TO3 PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-3 metal package. CS684 is the BD684 in TO3 package. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit -VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V -VCBO Collector-Base Voltage 140 V -VE

 0.1. Size:59K  china
 cs6849.pdf pdf_icon

CS684

CS6849 P PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -6.5 A ID VGS=-10V,TC=100 -4.1 A IDM -25 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-4.1A 0.45

 0.2. Size:66K  china
 cs6849u.pdf pdf_icon

CS684

CS6849U P PD TC=25 25 W 0.20 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -6.5 A ID VGS=-10V,TC=100 -4.1 A IDM -25 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-4.1A 0.30

Другие транзисторы: CZT651, CZT7090L, CZT7090LE, CZT7120, CZT751, CPH5901, CPH5902, CPH5905, TIP142, CSA1162, CSC2712, CXT3090L, CXT3150, CXT3410, CXT3820, CXT491E, CXT5401E