RN2609 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2609

Маркировка: YJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

 Аналоги (замена) для RN2609

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2609 даташит

 0.1. Size:145K  toshiba
 rn2607-rn2609.pdf pdf_icon

RN2609

RN2607 RN2609 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2607,RN2608,RN2609 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to

 9.1. Size:154K  toshiba
 rn2601-rn2606.pdf pdf_icon

RN2609

RN2601 RN2606 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2601,RN2602,RN2603 RN2604,RN2605,RN2606 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing proces

Другие транзисторы: CXT491E, CXT5401E, CXT5551E, CXT5551HC, CXT591E, CXT7090L, CXT7410, CXT7820, BDT88, CTLM3410-M832D, CTLM3474-M832D, CTLM7410-M832D, CTLT3410-M621, CTLT5551-M832D, CTLT7410-M621, CTLT8099-M322S, CTLT853-M833