Справочник транзисторов. CTLT8099-M322S

 

Биполярный транзистор CTLT8099-M322S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CTLT8099-M322S
   Маркировка: 89C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TLM322S
 

 Аналог (замена) для CTLT8099-M322S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CTLT8099-M322S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  central
 ctlt8099-m322s.pdf pdf_icon

CTLT8099-M322S

CTLT8099-M322Swww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT8099-M322S is a silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a low profile, 2x2mm TLM surface mount package, designed for general purpose amplification and switching in energy efficient applications.MARKING CODE: 89CAPPLICAT

 9.1. Size:596K  central
 ctlt853-m833.pdf pdf_icon

CTLT8099-M322S

CTLT853-M833www.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT853-M833 is a high performance 6.0A High Current NPN Transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80%

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KT6127D | CSD600

 

 
Back to Top

 


 
.