CTLT853-M833 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTLT853-M833

Маркировка: CHA3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TLM833

 Аналоги (замена) для CTLT853-M833

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CTLT853-M833 даташит

 ..1. Size:596K  central
 ctlt853-m833.pdf pdf_icon

CTLT853-M833

CTLT853-M833 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT853-M833 is a high performance 6.0A High Current NPN Transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80%

 9.1. Size:500K  central
 ctlt8099-m322s.pdf pdf_icon

CTLT853-M833

CTLT8099-M322S www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT8099-M322S is a silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a low profile, 2x2mm TLM surface mount package, designed for general purpose amplification and switching in energy efficient applications. MARKING CODE 89C APPLICAT

Другие транзисторы: RN2609, CTLM3410-M832D, CTLM3474-M832D, CTLM7410-M832D, CTLT3410-M621, CTLT5551-M832D, CTLT7410-M621, CTLT8099-M322S, 2N5551, CTLT953-M833, CTLT953-M833S, CV7723, CV7723L-O, CV7723-O, CV7724, CV7724-O, CV7874