CZT2000 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT2000

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT2000

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT2000 даташит

 ..1. Size:527K  central
 czt2000.pdf pdf_icon

CZT2000

CZT2000 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com EXTREMELY HIGH VOLTAGE DESCRIPTION NPN SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2000 type is DARLINGTON TRANSISTOR an NPN Epitaxial Planar Silicon darlington transistor manufactured in an epoxy molded surface mount package, designed for applications requiring extremely high voltages and high gain capability. MARKING FULL PART NUMBER SOT-2

Другие транзисторы: CV7342, CV7342A-0, CV7343A, CV7343A-O, CV7345A, CXTA62, CYT7090LD, CZD13003, B772, CZT2680, CZT3090L, CZT3090LE, CV7345A-O, CV7346A-O, CV7362, CV7366, CV7366A