Биполярный транзистор CZT2000 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZT2000
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
Корпус транзистора: SOT223
CZT2000 Datasheet (PDF)
..1. Size:527K central
czt2000.pdf
czt2000.pdf
CZT2000SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comEXTREMELY HIGH VOLTAGEDESCRIPTION:NPN SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2000 type is DARLINGTON TRANSISTORan NPN Epitaxial Planar Silicon darlington transistor manufactured in an epoxy molded surface mount package, designed for applications requiring extremely high voltages and high gain capability.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-2
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050