Справочник транзисторов. BUR51S

 

Биполярный транзистор BUR51S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUR51S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR51S

 

 

BUR51S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10K  semelab
 bur51s.pdf

BUR51S

BUR51SDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05) 9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 23(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161) 7.92 (0.312)12.70 (0.50)TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max

 9.1. Size:65K  st
 bur51.pdf

BUR51S BUR51S

BUR51HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPNtransistor in modified Jedec TO-3 metal case,intented for use in switching and linearapplications in military and industrial equipment.12TO-3INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitV

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 bur51.pdf

BUR51S BUR51S

isc Silicon NPN Power Transistor BUR51DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage ,high speed,power switching andlinear in military and industrial equipment.ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top