BUR51S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUR51S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR51S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR51S даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 bur51s.pdf pdf_icon

BUR51S

BUR51S Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max

 9.1. Size:65K  st
 bur51.pdf pdf_icon

BUR51S

BUR51 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit V

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 bur51.pdf pdf_icon

BUR51S

isc Silicon NPN Power Transistor BUR51 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) High Current Capability High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage ,high speed,power switching and linear in military and industrial equipment. ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие транзисторы: BUY48SMD, BUY48SMD05, BUY48X, BUY80SMD, BUY82CECC, BUY82X, BUY92SMD, BUT11APX, BC548, BUR52S, BUP50A, BUP53R, BUW90, BUX50SMD, BUX50SMD05, BUX51SMD, BUX51SMD05