Биполярный транзистор BUX45X - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUX45X
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: TO3
BUX45X Datasheet (PDF)
bux45x.pdf
SILICON NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR BUX45X High Voltage, High Power, Fast Switching. Hermetic Metal TO3 Package. Ideally suited for Motor Control and Power Switching Circuits Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated)VCBO Collector Base Voltage 500V VCEX Collector Emitter Voltage VBE = -1.5V500V
bux45.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX45DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.) @ I = 1ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high voltage, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050