BUX45X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUX45X  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUX45X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX45X даташит

 ..1. Size:197K  semelab
 bux45x.pdf pdf_icon

BUX45X

SILICON NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR BUX45X High Voltage, High Power, Fast Switching. Hermetic Metal TO3 Package. Ideally suited for Motor Control and Power Switching Circuits Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 500V VCEX Collector Emitter Voltage VBE = -1.5V 500V

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 bux45.pdf pdf_icon

BUX45X

isc Silicon NPN Power Transistor BUX45 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.) @ I = 1A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high voltage, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы: BUX52SMD, BUX52SMD05, BUX21A, BUX24A, BUX24S, BUX24X, BUX25S, BUX40S, BC327, BUX47SMD, RN2968, RN2970, RN2973HFE, BUX48SMD, BUX49SMD, BUX49SMD05, BUX53SMD