Справочник транзисторов. RN2973HFE

 

Биполярный транзистор RN2973HFE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2973HFE
   Маркировка: YY4
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN2973HFE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  toshiba
rn2972hfe rn2973hfe.pdfpdf_icon

RN2973HFE

RN2972HFE,RN2973HFE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2972HFE,RN2973HFE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reduci

 8.1. Size:116K  toshiba
rn2972fs rn2973fs.pdfpdf_icon

RN2973HFE

RN2972FS,RN2973FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2972FS,RN2973FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 1.00.05package. 0.80.05 0.10.050.10.05 Incorporating a bias resistor into a

 8.2. Size:139K  toshiba
rn2972ct rn2973ct.pdfpdf_icon

RN2973HFE

RN2972CT, RN2973CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2972CT, RN2973CT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.05 0.150.03 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6pin) package. Incorporating a bias resistor into a tra

 9.1. Size:112K  toshiba
rn2970-rn2971.pdfpdf_icon

RN2973HFE

RN2970,RN2971 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2970,RN2971 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: STA3350F | DP350T05 | KRA222 | 2SD2108 | NSB9435T1G | MM4036 | BCX75

 

 
Back to Top

 


 
.