2DI100D-050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2DI100D-050  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 620 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: M205

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2DI100D-050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DI100D-050 даташит

 ..1. Size:96K  fuji
 2di100d-050.pdf pdf_icon

2DI100D-050

 6.1. Size:348K  fuji
 2di100d-100.pdf pdf_icon

2DI100D-050

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 2DI100D-100 (100A) Outline Drawings POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANS

 8.1. Size:108K  fuji
 2di100z-100.pdf pdf_icon

2DI100D-050

 8.2. Size:109K  fuji
 2di100z-120.pdf pdf_icon

2DI100D-050

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2DA1213Y, 2DA1971, 2DB1182Q, 2DI75D-050A, 2DI75D-100, 2DI75M-120, 2DI75Z-120, 2DI100A-120, TIP42, 2DI100D-100, 2DI100Z-100, 2DI100Z-120, 2DI150A-120, 2DI150D-050, 2DI150D-100, 2DI150Z-100, 2DI150Z-120