2DI150Z-120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2DI150Z-120  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: M210

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2DI150Z-120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DI150Z-120 даташит

 ..1. Size:109K  fuji
 2di150z-120.pdf pdf_icon

2DI150Z-120

 5.1. Size:106K  fuji
 2di150z-100.pdf pdf_icon

2DI150Z-120

 8.1. Size:426K  fuji
 2di150a-120.pdf pdf_icon

2DI150Z-120

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 2DI150A-120 (150A) Outline Drawings POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANS

 8.2. Size:107K  fuji
 2di150d-050.pdf pdf_icon

2DI150Z-120

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2DI100D-050, 2DI100D-100, 2DI100Z-100, 2DI100Z-120, 2DI150A-120, 2DI150D-050, 2DI150D-100, 2DI150Z-100, 13005, 2DI200A-050, 2DI200D-100, RN4993HFE, EMT1DXV6, 2DI50A-120, 2DI50D-050A, 2DI50D-100, 2DI50M-050