Биполярный транзистор 2DI50M-120 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2DI50M-120
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: M204
     - подбор биполярного транзистора по параметрам