2DI50Z-100 - описание и поиск аналогов

 

2DI50Z-100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2DI50Z-100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: M204

 Аналоги (замена) для 2DI50Z-100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DI50Z-100 даташит

 ..1. Size:97K  fuji
2di50z-100.pdfpdf_icon

2DI50Z-100

For more information, contact Collmer Semiconductor, Inc. P.O. Box 702708 Dallas, TX 75370 972-233-1589 972-233-0481 Fax http //www.collmer.com

 6.1. Size:102K  fuji
2di50z-120.pdfpdf_icon

2DI50Z-100

 9.1. Size:108K  fuji
2di50m-120.pdfpdf_icon

2DI50Z-100

www.datasheet4u.com www.datasheet4u.com www.datasheet4u.com www.datasheet4u.com

 9.2. Size:69K  fuji
2di50d-100.pdfpdf_icon

2DI50Z-100

Другие транзисторы: 2DI200D-100, RN4993HFE, EMT1DXV6, 2DI50A-120, 2DI50D-050A, 2DI50D-100, 2DI50M-050, 2DI50M-120, 2SC2240, 2DI50Z-120, 2DI240A-055, 2DI300A-050, 2DI30A-120, 2DI30D-050A, 2DI30D-100, BC327-16BK, BC327-25BK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.