2DI50Z-100. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2DI50Z-100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: M204
Аналоги (замена) для 2DI50Z-100
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2DI50Z-100 даташит
2di50z-100.pdf
For more information, contact Collmer Semiconductor, Inc. P.O. Box 702708 Dallas, TX 75370 972-233-1589 972-233-0481 Fax http //www.collmer.com
2di50m-120.pdf
www.datasheet4u.com www.datasheet4u.com www.datasheet4u.com www.datasheet4u.com
Другие транзисторы: 2DI200D-100, RN4993HFE, EMT1DXV6, 2DI50A-120, 2DI50D-050A, 2DI50D-100, 2DI50M-050, 2DI50M-120, 2SC2240, 2DI50Z-120, 2DI240A-055, 2DI300A-050, 2DI30A-120, 2DI30D-050A, 2DI30D-100, BC327-16BK, BC327-25BK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent






