2SAR533PFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SAR533PFRA

Маркировка: MM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SAR533PFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SAR533PFRA даташит

 ..1. Size:1560K  rohm
2sar533pfra.pdfpdf_icon

2SAR533PFRA

2SAR533P FRA Datasheet Middle Power Transistor(-50V / -3A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPack

 6.1. Size:1667K  rohm
2sar533p.pdfpdf_icon

2SAR533PFRA

2SAR533P Data Sheet PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -50V Base IC -3.0A Collector Emitter 2SAR533P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR533P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -1A/ -50mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplicatio

 6.2. Size:1823K  rohm
2sar533p5.pdfpdf_icon

2SAR533PFRA

2SAR533P5 Datasheet Medium Power Transistors(-50V / -3A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specif

 7.1. Size:421K  rohm
2sar533d.pdfpdf_icon

2SAR533PFRA

Midium Power Transistors ( 50V / 3A) 2SAR533D Features Dimensions (Unit mm) 1) Low saturation voltage, typically CPT3 6.5 5.1 2.3 VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) 0.5 (2) 2) High speed switching 0.75 (3) (1) Structure 0.65 (1) Base 0.9 2.3 2.3 (1) (2) (3) 0.5 PNP Silicon epitaxial planar transistor (2) Collector 1.0 (3) Emitter In

Другие транзисторы: 2SAR293PFRA, 2SAR502EB, 2SAR502UB, 2SAR512PFRA, 2SAR512R, 2SAR513PFRA, 2SAR513R, 2SAR514PFRA, 2SA1015, 2SAR542F3, 2SAR542PFRA, 2SAR544PFRA, 2SAR552PFRA, 2SAR553PFRA, 2SAR553R, 2SAR554PFRA, 2SAR562F3