2SAR533PFRA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SAR533PFRA
Маркировка: MM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SAR533PFRA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SAR533PFRA даташит
2sar533pfra.pdf
2SAR533P FRA Datasheet Middle Power Transistor(-50V / -3A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPack
2sar533p.pdf
2SAR533P Data Sheet PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -50V Base IC -3.0A Collector Emitter 2SAR533P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR533P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -1A/ -50mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplicatio
2sar533p5.pdf
2SAR533P5 Datasheet Medium Power Transistors(-50V / -3A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specif
2sar533d.pdf
Midium Power Transistors ( 50V / 3A) 2SAR533D Features Dimensions (Unit mm) 1) Low saturation voltage, typically CPT3 6.5 5.1 2.3 VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) 0.5 (2) 2) High speed switching 0.75 (3) (1) Structure 0.65 (1) Base 0.9 2.3 2.3 (1) (2) (3) 0.5 PNP Silicon epitaxial planar transistor (2) Collector 1.0 (3) Emitter In
Другие транзисторы: 2SAR293PFRA, 2SAR502EB, 2SAR502UB, 2SAR512PFRA, 2SAR512R, 2SAR513PFRA, 2SAR513R, 2SAR514PFRA, 2SA1015, 2SAR542F3, 2SAR542PFRA, 2SAR544PFRA, 2SAR552PFRA, 2SAR553PFRA, 2SAR553R, 2SAR554PFRA, 2SAR562F3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569




