HN1B01FDW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1B01FDW1T1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT26 SOT457

 Аналоги (замена) для HN1B01FDW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1B01FDW1T1G даташит

 ..1. Size:151K  onsemi
 hn1b01fdw1t1g shn1b01fdw1t1g.pdf pdf_icon

HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G, SHN1B01FDW1T1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor www.onsemi.com PNP and NPN Surface Mount Features SC-74 High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA CASE 318F High hFE hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating (6) (5) (4) Human Body Model 3A Machine Model C S Prefix for Automoti

 0.1. Size:103K  onsemi
 shn1b01fdw1t1g.pdf pdf_icon

HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G, SHN1B01FDW1T1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor http //onsemi.com PNP and NPN Surface Mount Features SC-74 High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA CASE 318F High hFE hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating (6) (5) (4) Human Body Model 3A Machine Model C Q1 Q2 AEC-Q101 Qu

 2.1. Size:52K  onsemi
 hn1b01fdw1t1-d.pdf pdf_icon

HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount http //onsemi.com Features (6) (5) (4) High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA High hFE hFE = 200X400 Q1 Q2 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model 3A - Machine Model C (1) (2) (3) Pb-Free Package is Available MAXIMUM RATINGS (

 7.1. Size:367K  toshiba
 hn1b01f.pdf pdf_icon

HN1B01FDW1T1G

HN1B01F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B01F Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit mm Q1 High voltage and high current V = -50 V, I = -150 mA (max) CEO C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity FE h (I = -0.1 mA) / h (I = -2 mA) = 0.95 (typ.) FE C FE C Q2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KZT951, KZT953, INC1001AC1, INC2001AC1, INC2001AM1, INC2001AU1, HIT1577, HLB121, A1941, HN2E04F, HN4B101J, HN4B102J, HQ1A3M, HQ1A4A, HQ1F2Q, HQ1F3M, HQ1F3P