Биполярный транзистор ISC3242AS1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ISC3242AS1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: SC72
Аналоги (замена) для ISC3242AS1
ISC3242AS1 Datasheet (PDF)
isc3242as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3242AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3242AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed for small type motor drive, solenoid drive and power supply application. Complementary with 2SA1998. 0.1 FEATURE High collector current. IC=2A 0
isc3249as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3249AS1 FOR SMALL TYPE COLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATIONSILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3249AS1 is a silicon NPN triple diffused transistor 4.0 designed for color TV chroma output circuit, high voltage switching circuit application. 0.1 FEATURE High voltage. VCEo=250V 0.45 High gai
isc3247as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3247AS1 FOR RELAY DRIVE, POWOR SUPPLY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3247AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 4.0 Designed with high voltage, high collector current, dissipation and high hFE. 0.1 FEATURE 0.45 High hFE. hFE=600 to 1800 High voltage. VCEo=50V 2.5 2.
isc3244as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3244AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3244AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed with high collector dissipation, high voltage. Complementary with SA1284AS1. 0.1 FEATURE High voltage. VCEo=100V 0.45 High peak collector c
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050