IMD2AFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMD2AFRA  📄📄 

Маркировка: D2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMD2AFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMD2AFRA даташит

 ..1. Size:1439K  rohm
 emd2fha umd2nfha imd2afra.pdf pdf_icon

IMD2AFRA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRA EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N EMD2FHA UMD2NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4)

 9.1. Size:98K  rohm
 emd2 umd2n imd2a.pdf pdf_icon

IMD2AFRA

EMD2 / UMD2N / IMD2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD2 / UMD2N / IMD2A Features Dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a EMT EMD2 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT6 or UMT6 or SMT6 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interferen

 9.2. Size:98K  rohm
 umd2n imd2a d2 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMD2AFRA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD2N / IMD2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi

Другие транзисторы: ISA2166AM1, ISA2166AU1, ISA2188AM1, ISA2188AU1, ISB1035AS1, IMB2AFRA, IMB3AFRA, IMD10AMT1G, BD333, IMD3AFRA, IMD6AFRA, IMD9AFRA, IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA