Биполярный транзистор IMH6AFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: IMH6AFRA
Маркировка: H6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC74
IMH6AFRA Datasheet (PDF)
emh6fha umh6nfha imh6afra.pdf
EMH6FHA / UMH6NFHA / IMH6AFRAEMH6 / UMH6N / IMH6ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMH6 UMH6N EMH6FHA UMH6NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
emh6 umh6n imh6a.pdf
EMH6 / UMH6N / IMH6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH6 / UMH6N / IMH6A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT EMH6 package. ( ) ( )4 3( ) ( )5 2( ) ( )6 11.2 Equivalent circuit 1.6EMH6 / UMH6N IMH6A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1 R1ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsR2 R2 R2 R2
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050