INC5002AP1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: INC5002AP1 📄📄
Маркировка: BB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT89
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для INC5002AP1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
INC5002AP1 даташит
inc5002ap1.pdf
INC5002AP1 For low frequency power amplify Silicon NPN Epitaxial DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INC5002AP1 is a silicon NPN epitaxial transistor designed for relay 4.6 MAX drive or Power supply application. 1.5 1.6 FEATURE Small package for easy mounting. High voltage VCEO=60V C E B High collector current IC=3A Low VCE(sat) VCE sat =0.6V m
inc5004ac1.pdf
INC5004AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INC5004AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini
inc5004ap1.pdf
INC5004AP1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INC5004AP1 is a silicon NPN transistor. 4.6 MAX It is designed with high voltage. 1.5 1.6 FEATURE Small package for easy mountin
Другие транзисторы: IMT1AFRA, IMT2AFRA, IMT3AFRA, IMT4FRA, IMX25, IMX2FRA, INC5001AC1, INC5001AP1, BC327, INC5003AH1, INC5004AC1, INC5004AP1, INC5006AC1, IMX3FRA, IMX8FRA, IMZ1AFRA, IMZ2AFRA
History: IR2002 | IR4010
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r







