INA5008AH1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: INA5008AH1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для INA5008AH1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INA5008AH1 даташит

 ..1. Size:107K  isahaya
 ina5008ah1.pdf pdf_icon

INA5008AH1

PRELIMINARY INA5008AH1 Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE FEATURE OUTLINE DRAWING UNIT Low voltage VCE(sat) = -0.4V(MAX),Ic=-500mA 6.60 2.30 5.34 0.50 APPLICATION Small type machine low frequency voltage amplify application, Switching 1 2 3 0.127max 0.50 2.286 0.76

 8.1. Size:106K  isahaya
 ina5005ac1.pdf pdf_icon

INA5008AH1

INA5005AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5005AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

 8.2. Size:132K  isahaya
 ina5006ac1.pdf pdf_icon

INA5008AH1

INA5006AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5006AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

 8.3. Size:150K  isahaya
 ina5001ap1.pdf pdf_icon

INA5008AH1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR INA5001AP1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION INA5001AP1 is a super mini package resin sealed silicon PNP epitaxial transistor, OUTLINE DRAWING Unit It is designed for relay draive or Power supply application. 4.6 MAX . 1.5 1.6 FEATURE Super mini package for easy mounting C E B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC158F, KTA1050, INA5001AC1, INA5001AP1, INA5002AC1, INA5002AP1, INA5005AC1, INA5006AC1, SS8050, INC2002AC1, INC2002AM1, INC2002AU1, KZT1053A, KZT1149A, KZT1151A, KZT122, KZT127