KXT5401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KXT5401  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KXT5401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KXT5401 даташит

 ..1. Size:50K  tysemi
 kxt5401.pdf pdf_icon

KXT5401

SMD Type Transistors Product specification KXT5401 (CXT5401) SOT-89 Unit mm +0.1 4.50+0.1 1.50-0.1 -0.1 1.80+0.1 -0.1 Features High current (max. 500mA). Low voltage (max. 150 V). +0.1 +0.1 0.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1 -0.1 1. Base 3.00+0.1 -0.1 2. Collector 3. Emiitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -160 V Collect

Другие транзисторы: KZT1149A, KZT1151A, KZT122, KZT127, KZT2222A, KZT2907A, KXT2222A, KXT2907A, 2N4401, KXT5551, KXTP2013, KZT1048A, KZT1049A, KTC9012SC, TTA005, TTA006B, TTA008B