Справочник транзисторов. KTD1304S

 

Биполярный транзистор KTD1304S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTD1304S
   Маркировка: J3Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1304S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  kexin
ktd1304s.pdfpdf_icon

KTD1304S

SMD Type TransistorsNPN TransistorsKTD1304 (KTD1304S)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High Emitter-Base Voltage :VEBO = 12V(Min) High Reverse hFE1 2+0.02+0.1 Low on Resistance 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector -

 7.1. Size:244K  secos
ktd1304.pdfpdf_icon

KTD1304S

KTD1304 0.3 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES High emitter-base voltage: VEBO=12V(Min) low on resistance: Ron=0.6(max)(IB=1mA) PACKAGE DIMENSIONS SOT-23Collector3Dim Min MaxA 2.800 3.0401BaseB 1.200 1.4002EmitterC 0.890 1.110D

 7.2. Size:354K  kec
ktd1304.pdfpdf_icon

KTD1304S

SEMICONDUCTOR KTD1304TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.FEATURESEL B LHigh Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.).DIM MILLIMETERSHigh Reverse hFE_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low on Resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA).E 2.40+0.30/-0.201G 1.90

 7.3. Size:907K  htsemi
ktd1304.pdfpdf_icon

KTD1304S

KTD1304SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High emitter-base voltage 1. BASE low on resistance 2. EMITTER 3.COLLECTOR MARKING: MAX MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 12 V IC Collector Current -Continuous 0.3 A PC Collector

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BD402 | BFR71 | 41501 | 40968 | MRF342 | MRF9411BLT3

 

 
Back to Top

 


 
.