TFS5095. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFS5095

Маркировка: TE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 52

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для TFS5095

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFS5095 даташит

 ..1. Size:146K  tinfar
 tfs5095.pdf pdf_icon

TFS5095

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/8 TFS5095 Description The TFS5095 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline TFS5095 SOT-323 B Base C Collector E Emitter Features Low Noise and High Gain NF=1.4dB, TYP. @ VCE=2V, Ic=4.2mA, f=0.9GHz Ga=12dB, TYP. @ VCE=2V, Ic=4.2mA, f=0.9GHz S21 2 =13

Другие транзисторы: KTA1664-Y, TFS1036, TFS1576, TFS2411, TFS2444, TFS4081, TFS4082, TFS4083, S8050, KTA2014-GR, KTA2014-O, KTA2014-Y, KTC3199-BL, KTC3199-GR, KTC3199-O, KTC3199-Y, KTC3205-O