TPA2030NND03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPA2030NND03  📄📄 

Маркировка: BW

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: WBFBP-03B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPA2030NND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPA2030NND03 даташит

 ..1. Size:81K  jiangsu
 tpa2030nnd03.pdf pdf_icon

TPA2030NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.2 1.2 0.5) unit mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

 9.1. Size:632K  jiangsu
 tpa2029nnd03.pdf pdf_icon

TPA2030NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPA2029NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION B E PNP Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPC5658NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

Другие транзисторы: KTC3199-BL, KTC3199-GR, KTC3199-O, KTC3199-Y, KTC3205-O, KTC3205-Y, KTC3880LT1, TPA2029NND03, 13003, TPC2715NND03, TPC5658NND03, TPC5663NND03, TPC6901, TPC6901A, TPC6902, TPCP8902, TPCP8F01