KTC3876-GR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTC3876-GR
Маркировка: WY
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KTC3876-GR
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3876-GR даташит
ktc3876-gr-y.pdf
MCC Micro Commercial Components TM KTC3876-Y 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 KTC3876-GR Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features High hFE and Low Noise Epitaxial Planar Complementary to KTA1505 Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates NPN Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Halo
ktc3876.pdf
KTC3876 0.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURE A High hFE L Complementary to KTA1505 3 3 Top View C B 1 CLASSIFICATION OF hFE 1 2 2 K E Product-Rank KTC3876-O KTC3876-Y KTC3876-GR D Range 70 140 120 240 200 400 H J F G Marking Code WO W
ktc3876s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3876S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V, IC=400mA. C 1.30 MAX 2 Complementary to KTA1505S. 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00
ktc3876.pdf
KTC3876 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High hFE 1. BASE Complementary to KTA1505 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 35 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 500 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW
Другие транзисторы: TPC6901A, TPC6902, TPCP8902, TPCP8F01, TPCP8G01, KTC3875-GR, KTC3875LT1, KTC3875-Y, 2SC1815, KTC3876-Y, KTC4075-BL, KTC4075-GR, KTC4075-O, KTC4075-Y, KTC4347, KTC4373-O, KTC4373-Y
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408







