KTC4075-GR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTC4075-GR
Маркировка: LGR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT323 SOT23
Аналоги (замена) для KTC4075-GR
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC4075-GR даташит
ktc4075-bl-gr-y-o.pdf
KTC4075-O MCC KTC4075-Y Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth KTC4075-GR Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 KTC4075-BL Fax (818) 701-4939 Features NPN Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Plastic-Encapsulate Complementary to KTA2014 Epoxy meets UL 94 V-0
ktc4075v.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4075V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B Excellent hFE Linearity hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). DIM MILLIMETERS 2 _ High hFE hFE=70 700. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 Complementary to KTA2014V. _ E
ktc4075.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4075 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEAUTRES M B M DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 2.00 0.20 D hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). 2 _ + B 1.25 0.15 _ High hFE hFE=70 700. + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). _ + E 2.10 0.2
ktc4075e.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4075E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 1.60 0.10 D hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementary to KTA2014E. E 1.60 0.10 +
Другие транзисторы: TPCP8F01, TPCP8G01, KTC3875-GR, KTC3875LT1, KTC3875-Y, KTC3876-GR, KTC3876-Y, KTC4075-BL, B772, KTC4075-O, KTC4075-Y, KTC4347, KTC4373-O, KTC4373-Y, T03N100GP, T10N60GP, T11
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor








