TTC3710B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTC3710B

Маркировка: C3710B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 220 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220SIS

 Аналоги (замена) для TTC3710B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC3710B даташит

 ..1. Size:250K  toshiba
 ttc3710b.pdf pdf_icon

TTC3710B

TTC3710B Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TTC3710B TTC3710B TTC3710B TTC3710B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Current Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.4 V (max) (IC = 6 A , IB = 0.3 A) (2) High speed switching tstg = 1 s (typ.) (3) Comple

Другие транзисторы: TFH45, TFJD1760, TTC004B, TTC011B, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, D880, TTC5460B, TTD1409B, TTD1410B, TTD1415B, TTD1509B, TFM1759, TFN1036, TFN1037