Справочник транзисторов. TFN1386L

 

Биполярный транзистор TFN1386L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TFN1386L
   Маркировка: BH
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN1386L

 

 

TFN1386L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  tinfar
tfn1386l.pdf

TFN1386L
TFN1386L

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/4TFN1386L Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.6 V (typical), at IC / IB = -4A / -0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to TFN2098L Symbol OutlineTFN1386L SOT-23BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -20 V Col

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top