TFN1386L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN1386L

Маркировка: BH

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN1386L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN1386L даташит

 ..1. Size:157K  tinfar
 tfn1386l.pdf pdf_icon

TFN1386L

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN1386L Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.6 V (typical), at IC / IB = -4A / -0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to TFN2098L Symbol Outline TFN1386L SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -20 V Col

Другие транзисторы: TTC5460B, TTD1409B, TTD1410B, TTD1415B, TTD1509B, TFM1759, TFN1036, TFN1037, TIP2955, TFN1424, TFN1514, TFN1590, TFN1721, TFN1759, TFN1768, TSC5301DCT, TSC5302DCH