TFN1759. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN1759

Маркировка: 4Z

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN1759

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN1759 даташит

 ..1. Size:307K  tinfar
 tfn1759.pdf pdf_icon

TFN1759

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN1759 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505N3. Symbol Outline TFN1759 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol L

 9.1. Size:324K  tinfar
 tfn1768.pdf pdf_icon

TFN1759

 9.2. Size:247K  tinfar
 tfn1721.pdf pdf_icon

TFN1759

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/6 TFN1721 Description High breakdown voltage. Low collector output capacitance. Ideal for chroma circuit. Pb-free package Symbol Outline TFN1721 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -300 V Collector-Emitter Voltage V

Другие транзисторы: TFM1759, TFN1036, TFN1037, TFN1386L, TFN1424, TFN1514, TFN1590, TFN1721, BC639, TFN1768, TSC5301DCT, TSC5302DCH, TSC5302DCP, TSC5303DCH, TSC5303DCP, TSC5304DCH, TSC5304DCP