TSC5327CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSC5327CZ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для TSC5327CZ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC5327CZ даташит

 ..1. Size:102K  taiwansemi
 tsc5327cz.pdf pdf_icon

TSC5327CZ

TSC5327 High Voltage NPN Transistor TO-220 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 800V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 1200V IC 4A VCE(SAT) 3V @ IC / IB = 2.5A / 0.5A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS

 9.1. Size:374K  taiwansemi
 tsc5303d.pdf pdf_icon

TSC5327CZ

TSC5303D High Voltage NPN Transistor with Diode TO-251 TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (IPAK) (DPAK) 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 3A VCE(SAT) 0.17V @ IC=1A, IB=0.25A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti- saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable

 9.2. Size:401K  taiwansemi
 tsc5301dct.pdf pdf_icon

TSC5327CZ

TSC5301D High Voltage NPN Transistor with Diode TO-92 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Emitter BVCEO 400V 2. Collector 3. Base BVCBO 700V IC 1A VCE(SAT) 1.1V @ IC / IB = 1A / 0.25A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Storage-time Spread E

 9.3. Size:261K  taiwansemi
 tsc5304ed.pdf pdf_icon

TSC5327CZ

TSC5304ED High Voltage NPN Transistor with Diode TO-251 TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (IPAK) (DPAK) 1. Base 2. Collector BVCEO 400V 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 0.25V (Typ.) @ IC=0.5A, IB=0.1A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti- saturation Operation Low Base Drive Requirement Suitable for Half

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TSC5302DCH, TSC5302DCP, TSC5303DCH, TSC5303DCP, TSC5304DCH, TSC5304DCP, TSC5304EDCH, TSC5304EDCP, MJE350, TFN2059, TFN2150, TFN2411, TFN2412, TFN2444, TFN3838, TFN3906, TFN4061